- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11529 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région de circuit périphérique de régions de mémoire comprenant des transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H01L 27/11529
Brevets de cette classe: 761
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
149 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
137 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
103 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
77 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
59 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
56 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
39 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
24 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
9 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
9 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
8 |
| eMemory Technology Inc. | 358 |
7 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
5 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
4 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
4 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
4 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
3 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
3 |
| Autres propriétaires | 52 |